请教DADODO双路测试仪问题。

chlonly

请问各位大侠，DADODO双路测试仪，可以不可以自己用性能更好的MOS管代替原装的。

能不能用内阻更小的MOS管替换，我想用手上现成的IRF3205或者IRL3713替换。

原装是IRLZ24N

Package	TO-220AB
Circuit	Discrete
VBRDSS (V)	55
RDS(on) Max 4.5V (mOhms)	105.0
RDS(on) Max 10V (mOhms)	60.0
ID @ TC = 25C (A)	18
ID @ TC = 100C (A)	13
Qg Typ (nC)	10.0
Qgd Typ (nC)	5.7
Rth(JC) (K/W)	3.3
Power Dissipation @ TC = 25C (W)	45
Part Status	Active
PbF	PbF Option Available
Package Class Can	Thru-Hole

想更换的3205是 55V的，但是3713是30V的，这个有影响没有？

请问各位，换了之后有没有什么问题？

还有就是我这个放电测试仪是买的老山东的黄金版，电阻不是DADODO图上并排的4个电阻了，被换成了两个5W 0.5欧的方块形电阻。感觉没原版美观了，呵呵。

[ 本帖最后由 chlonly 于 2009-2-11 01:28 编辑 ]

chlonly

还有个问题，就是第二通道没有放电的时候。
电流在0ma和1ma之间跳动，测试自己做的基准，第一通道可以测试，而第二通道一接上去就没有电压了。

chlonly

高手，帮下忙啊。

老山东

参数一样可以更换更好的，现在的电阻是陶瓷无感的5瓦，一个就贵过以前的4个了，

chlonly

原帖由 老山东 于 2009-2-11 12:11 发表

                               
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参数一样可以更换更好的，现在的电阻是陶瓷无感的5瓦，一个就贵过以前的4个了，

哦。那看把FET换成3205的就行了，应该发热更少些。

我那个第二通道有电流是怎么回事啊？

老山东

漏电流1ma是正常的

chlonly

明白了，谢谢

benxiong22

发热更少些(:funk:)
不发热的话就不用测了。。。
电池的能量总要变成热量散掉的啊

[ 本帖最后由 benxiong22 于 2009-2-12 13:06 编辑 ]

chlonly

BX大侠，请问那个漏电电流有什么方法解决啊？

benxiong22

给358加偏置。。。

chlonly

小弟才疏学浅，麻烦BX大侠细说一下。
怎么加啊？

benxiong22

就是用个大电阻和一个小电阻串联分压取得1～2mv左右的电压加到运放的反相输入端

chlonly

收到，感谢。

bumnny

我的通道2漏电电流在2ma是不是属于正常呢？是在不想加电阻调整啊，请大侠们指点

zfjiang

4# 老山东
    参数都一样还换什么啊。  说具体点，哪些参数需要一样 ？  我换了IRLZ44N， 110W，功率大了。 但贵了点，希望便宜点的MOS，也能达到要求就行。

benxiong22

他说的是电阻不是mos

zfjiang

参数不一样的电阻也可以换。  电阻等比例换，可以提高电流， 例如原来0.5欧姆的，现在换0.1欧姆（20W水泥电阻），可以提高5倍电流（10A），不过注意MOS管的功耗不要超过，高电压大电流可是功率很大的。
    换了电阻后在基准里校对下电流，再在选项里将“最大电流”设置成更大。
    我测试了，可以外接功率电阻散热，例如12V电瓶10A放电（总功率是120W），输出线串联60W（多个电阻并联以取得更大功率）电阻0.6欧姆，分担6V电压，消耗了一半功率，只有60W功率在MOS管上。  但有个问题要注意，放电截止电压要相应减去6V（原来是10.5V,现在得设置成4.5V)，否则放不了电了。  而且，这个功率电阻的阻值会算在等效电阻里面。等效内阻要减去0.6欧姆才是真正的等效内阻。

huangx9966

MOS管在这里不需要处于完全导通状态，而是作为等效电阻的状态存在，故低导能电阻的MOS并没有太大的用处。还是要换块头大一点的，充许功耗大一点，开启电压低一点的就好。

zfjiang

18# huangx9966
     说得对！